HotStart Bst4.2 大規(gui)格(125ml包裝酶)

公(gong)司(si)產品(pin)僅(jin)供科研(yan)研(yan)究使(shi)用、不(bu)得(de)用於(yu)臨(lin)床診斷(duan)！

商品(pin)屬(shu)性(xing)

Bst4.2 DNA/RNA Polymerase 經酶電子(zi)重(zhong)構架和(he)進(jin)化篩選(xuan)（in silico Design & invitro Evolution），其為Bst4.0 的升級(ji)品(pin)，通用於(yu) DNA 或 RNA 的 LAMP 或RT-LAMP 擴增(zeng)。
性(xing)能(neng)提升包括 ：

（1 ）Bst 4.2 全(quan)系包含 熱啟(qi)動(dong)Aptamer，該(gai)配體確(que)保(bao)酶在<30℃時(shi)，酶活封閉(bi)效(xiao)率>95%,在(zai)>60℃時(shi) 1min 內釋放酶活。該(gai)特(te)性(xing)利(li)於(yu)室溫(wen)建立反(fan)應體系，並大幅降低了(le)低溫(wen)條件(jian)下(xia)的非特(te)異擴增(zeng)；

（2）反(fan)應溫度提(ti)升到(dao) 70℃，大(da)幅降(jiang)低引(yin)物 Dimer 的形(xing)成(cheng)，提(ti)高(gao)擴增(zeng)特(te)異性(xing)，並使得粗樣品(pin)核(he)酸(suan)釋放更(geng)加充分(fen)；

（3）全(quan)系包含 Helicaser，因此，允許在(zai)不(bu)使(shi)用 F3/B3 引(yin)物的情(qing)況(kuang)下(xia)進(jin)行(xing) LAMP 擴增(zeng)（easy LAMP），並允許 FIP/BIP 的引(yin)物用量(liang)降(jiang)低壹倍。這將(jiang)進(jin)壹步降(jiang)低非(fei)特(te)異擴增(zeng)，並使得擴增(zeng)均(jun)壹(yi)性(xing)大(da)幅(fu)提(ti)升。

註意： HotStart Bst 4.2 DNA/RNA Polymerase（8U/μl）不(bu)含有甘(gan)油，可(ke)用於(yu)凍幹(gan)體系的建立(li)。
儲(chu)存(cun)：長期保(bao)存(cun)請(qing)置於-20℃以(yi)下(xia)（12 個月有效）；制品(pin)反(fan)復(fu)凍融(rong) 10 次不(bu)影(ying)響(xiang)性(xing)能(neng)，但應避免反復(fu)凍融(rong)；制品(pin)由(you)於(yu)含有高(gao)濃度的糖組分(fen)，-20℃保(bao)存(cun)的酶制品(pin)，在(zai)融(rong)化時可(ke)能(neng)會有結晶(jing)物(wu)，此時在(zai) 30℃的溫度下(xia)融(rong)化，過高(gao)的溫度可(ke)能(neng)會導(dao)致熱(re)啟動(dong)性(xing)能(neng)下(xia)降(jiang)。壹經融(rong)化推薦(jian)置於 2-8℃保(bao)存(cun)，在(zai)此條件(jian)下(xia)制品(pin)穩(wen)定(ding)儲(chu)存(cun) 6 個月。
特(te)殊說(shuo)明：
（1） Bst4.2 DNA/RNA Polymerase 在(zai)用於(yu) LAMP 擴增(zeng)時(shi)的推薦(jian)反應溫度為(wei) 65-70℃，反(fan)應溫度為(wei) 70℃。因此其可(ke)替(ti)代(dai)  的 Bst4.0 系列(lie)，用於(yu)標(biao)準 LAMP的擴增(zeng)。
（2） 由(you)於 Helicaser 的反應溫度為(wei) 70℃，因此在進(jin)行(xing)eLAMP 擴增(zeng)時(shi)，反應溫度為(wei) 70℃。
1. 標(biao)準 LAMP 擴增(zeng)
1.1 10xLAMP Primer Mix：FIP/BIP=16 μM each; LF/LB=4
μM each; F3/B3=2 μM each
1.2 配(pei)制 LAMP 反應體系
10xBst4.2 Buffer(Mg2+ free) 2.5 μl
100mM Mg2+
1.5 μl
dNTP Mixture（10 mM each） 3 μl
10xLAMP Primer Mix 2.5 μl
HotStart Bst 4.2（8U/μl） 1 μl
模(mo)板 DNA/RNA X μl
ddH2O 到(dao)總(zong)體積 25 μl
1.3 反應體系配(pei)好後，置於 65-70°C 反(fan)應 20~30min。
2. eLAMP 擴增(zeng)
2.1 10xeLAMP Primer Mix ： FIP/BIP=8 μM each;
LF/LB=4 μM each。
註意：eLAMP（easy LAMP）為去(qu)除 F3/B3 引(yin)物的方法(fa)，為 Bst4.2 系列(lie)專用的使用策(ce)略，對於大多數引(yin)物組，在Helicaser 的加持下(xia)，擴增(zeng)速(su)度幾(ji)乎(hu)不(bu)受(shou)影(ying)響(xiang)。如(ru)引(yin)物擴增(zeng)效(xiao)率低(di)，可(ke)提(ti)高(gao) FIP/BIP 濃度到(dao) 12~16uM。
2.2 配(pei)制 eLAMP 反應體系
10xBst4.2 Buffer(Mg2+ free) 2.5 μl
100mM Mg2+
1.5 μl
dNTP Mixture（10 mM each） 3 μl
10xeLAMP Primer Mix 2.5 μl
HotStart Bst 4.2（8U/μl） 1 μl
模(mo)板 DNA/RNA X μl
ddH2O 到(dao)總(zong)體積 25 μl
2.3 eLAMP 的擴增(zeng)溫(wen)度為(wei) 70°C，反(fan)應 20~30min。
其它(ta)註意事(shi)項(xiang)
(1) 制品(pin)中(zhong)包含高(gao)濃度的鹽(yan)組分(fen)，使用時(shi)做(zuo)好個人(ren)防(fang)護(hu)，防(fang)止制品(pin)與(yu)皮(pi)膚(fu)、眼(yan)、鼻、呼(hu)吸道(dao)等(deng)接(jie)觸和(he)吸(xi)入(ru)，壹(yi)旦(dan)接(jie)觸或吸入(ru)，請(qing)用大(da)量(liang)的清(qing)水(shui)沖(chong)洗。
(2) 防止(zhi)氣溶膠汙染(ran)，盡可(ke)能(neng)進行(xing)分(fen)區操作(zuo)。

公(gong)司(si)正(zheng)在(zai)出售(shou)的產品(pin)：